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    1. 晶圓制造企業沖刺科創板 和艦芯片何時扭虧成焦點

      2019-04-12 10:03 | 來源:未知 | 作者:吳科任 楊潔 | [科創板] 字號變大| 字號變小


      目前,聯華電子間接持有和艦芯片98.14%的股份。和艦芯片發行上市后,聯華電子間接持有股份將降至87.24%,仍處于絕對控股地位。

        臺資企業和艦芯片將目光瞄準快速成長的中國大陸半導體市場,2016年便在廈門投資數百億元建造了一家12英寸晶圓廠,并躋身中國十大集成電路制造企業榜單。為尋求更大發展,和艦芯片決定沖刺科創板。

        啟動上市計劃

        3月22日,上交所受理了和艦芯片的科創板上市申請。作為首批受理9家企業中唯一連續三年虧損的公司,和艦芯片的A股上市計劃啟動較早。2018年6月,和艦芯片最終控股股東聯華電子董事會決議通過了和艦芯片的A股上市計劃。

        目前,聯華電子間接持有和艦芯片98.14%的股份。和艦芯片發行上市后,聯華電子間接持有股份將降至87.24%,仍處于絕對控股地位。

        聯華電子相關人士對中國證券報記者表示,上市后和艦芯片的資金來源將更加多元化,財務結構將得到改善,進一步充實資本實力;借助股權激勵計劃,吸引當地優秀人才,有助于拓展集團業務及全球布局。“通過募集資金,復制既有的成功模式,拓展中國大陸市場,進一步提升產能規模、技術品質,強化公司既有競爭優勢。”

        至于為何選擇科創板,“自受理日起,和艦芯片已進入靜默期。公司內部、控股股東或最終控制方及其所有控制子公司,董監高及與上市有關人員或關聯方不得接受媒體采訪。如需上市申請相關資訊,以上交所公告的招股說明書為準。”聯華電子相關人士表示。

        深耕大陸市場

        根據IC insights數據,2018年中國大陸地區晶圓代工市場達到106.9億美元,同比增長41%,顯著高于全球5%的平均增速。2016年至2018年,年均復合增長率為35.23%,呈現快速增長態勢。為應對中國大陸半導體市場的快速成長,聯華電子2001年11月便在蘇州投資建廠,并提供完整的IC制造解決方案。

        集成電路產業鏈大致可分為設計、制造、封測、材料及設備五個環節。前三個環節衍生出三種經營模式。以三星為代表的IDM模式,即垂直整合制造企業,業務涵蓋集成電路設計、晶圓制造、封裝測試等環節;以華為海思為代表Fabless模式,廠商僅進行芯片的設計、研發、應用和銷售;以臺積電為代表的Foundry模式,專門從事晶圓制造而不從事IC設計工作。

        和艦芯片屬于Foundry模式。目前,公司蘇州本部擁有1家8英寸晶圓制造廠,可控制的子公司廈門聯芯為1家12英寸晶圓制造廠,全資子公司山東聯暻主要從事IC設計服務業務。

        招股書顯示,8英寸產能是和艦芯片的主要收入來源,2016年-2018年分別實現銷售收入17.54億元、21.17億元、22.21億元,收入占比分別為95%、65.26%、62.21%。12英寸產能從2017年開始放量,銷售收入占比從2016年的4.37%升至34%,2018年再提升到36.85%。

        分區域看,2016年-2018年,中國大陸的銷售占比分別為35.33%、51.32%、43.37%;而中國臺灣市場的銷售占比分別為46.83%、36.65%、38.66%。客戶包括紫光集團、展訊、匯頂科技、中穎電子、鉅泉光電、珠海艾派克等公司。

        根據中國半導體協會統計數據,和艦芯片位列2017年中國半導體制造十大企業銷售榜排名第8,市占率為2.32%。

        擺在和艦芯片面前的現實問題是何時扭虧。2016年-2018年,公司凈利潤分別為-11.49億元、-12.67億元、-26.02億元。和艦芯片稱,主要原因是子公司廈門聯芯前期固定資產折舊和無形資產攤銷太大,導致毛利率為負,且需計提存貨減值和預計負債。

        制程與工藝的抉擇

        晶圓制造制程從0.5μm(1μm=1000nm)已發展到現在的5nm。是否進一步追趕先進制程,廠商的選擇出現分化。一方面,全球晶圓代工龍頭臺積電致力于引領先進制程,其5nm制程計劃于今年4月試產。中芯國際選擇追趕,其第一代14nm FinFET技術進入客戶驗證階段,且12nm工藝開發取得突破。

        格芯去年則宣布,暫停7nm芯片工藝開發,以便將資源轉移到14nm和12nm工藝。2017年上半年,聯華電子開始進行14nm FinFET的量產,但在去年宣布放棄12nm以下制程。

        成本無疑是“攔路虎”。當尺寸從28nm縮小到22/20nm時,須采用輔助的兩次圖形曝光技術,制程成本將提高1.5至2倍左右。14nm及以下制程的成本更高。比如,當尺寸縮小到10nm及以下后,須使用EUV光刻機,而一臺EUV光刻機的售價超過1億美元。同時,高額的研發費用讓部分廠商止步。以臺積電為例,公司2016年研發費用超過150億元人民幣,2018年超過180億元人民幣。另外,建設成本不菲。一條20nm工藝生產線的投入高達100億美元。

        招股書顯示,現階段制程仍以28nm市場需求量最大。根據IBS研究成果,28nm為目前單位邏輯閘成本最小的技術節點,長周期制程屬性明顯,預計大多數產品將逐步向更先進制程遷移。預計到2025年仍是市場最大需求之一。

        不過,放棄先進制程將錯失部分市場機會。以5G基帶芯片為例,作為和艦芯片2018年的第一大客戶,聯發科發布的5G基帶芯片M70的制程達到7nm,代工廠為臺積電。和艦芯片重要客戶紫光展銳今年2月發布5G基帶芯片春藤510,制程為12nm,同樣選擇臺積電為其代工。

      電鰻快報


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